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利用矽塊材製作超高真空腔體
 
專利名稱 利用矽塊材製作超高真空腔體
專利證書號 M482201
專利權人 國立台北科技大學
專利國家 台灣,
發明人 莊賀喬、黃佳玄、陳奕瑞
應用領域 機械, 能源, 自動化
需求項目 專利授權
 
專利商品特色:
本創作係有關於利用矽塊材製作之超高真空腔體,其裝置之特徵在於使用一矽塊材料所製作的超高真空腔體可應用於任何真空腔體需要10-9Torr以下之超高真空度,因此真空腔體無任何金屬元件。此一矽超高真空腔體上裝置有數個用於雷射光束穿透的透明圓形視窗,主要是利用陽極接合方式將派瑞克斯玻璃片與矽超高真空腔體接合,用以將矽超高真空腔體外的雷射光束傳遞至真空系統內。此外,在矽超高真空腔體的下面預留一個區域,用以與派瑞克斯玻璃管做陽極接合,用以連結真空幫浦。在完成矽超高真空腔體的封裝後,即可啟動真空幫浦將封裝好後的矽超高真空腔體抽至所需的超高真空度。

專利商品技術說明:
1.一種利用矽塊材製作之超高真空腔體,其裝置包含數個用於雷射光束傳透用之圓形視窗,在裝置的五個面上分別預留一個區域,用以與派瑞克斯玻璃片做陽極接合,其特徵在於此裝置與派瑞克斯玻璃片陽極接合後的接合強度高及耐高溫,且不需要額外的接著劑,因此可以利用此裝置來達到所需要的超高真空封裝效果。
2.如申請專利範圍第1項所述之利用矽塊材製作之超高真空腔體,其中在超高真空腔體五個面上的圓形視窗,其特徵在於與派瑞克斯玻璃片陽極接合之後,可讓超高真空腔體外之雷射光束及其他光源或是攝影訊號傳遞至超高真空腔體內。

聯繫方式
聯絡人:專利技轉組 電 話:(02)8772-0360
與我連絡 地 址:10608 台北市忠孝東路三段1號 行政大樓5樓
 
 
   




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