專利授權


具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片 


專利名稱 具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片
專利國家
   專利證書號
中華民國 M416849
專利權人 國立台北科技大學
發明人 莊賀喬、翁崇文
應用領域
需求項目









技術摘要


本創作係有關於具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片,其裝置之特徵在於晶片製程中使用了電鍍的散熱銅塊,裝置於晶片下層的金屬結構中,用以將上層金屬導線通電流後所產生的熱迅速地向基板傳遞以提高散熱效率,如此便可提高上層金屬導線所能承載的電流值。此外,在晶片的雙層金屬導線中間是採用光阻作為兩層導線間的絕緣材料,光阻不但是電的良好絕緣體,烘烤後在真空中也不會有氣體外洩的現象且能夠被研磨與拋光,如此便可精確地控制此一絕緣材料的厚度。一般來說,部分的原子捕集晶片表面還需要能夠反射雷射光,因此在本創作的原子捕集晶片中,可在被拋光後的光阻表面上鍍上一層銅,即可達到晶片表面高反射率的要求。本創作所設計的原子捕集晶片之雙層金屬導線皆可承受至少5安培的連續電流通過而不會繞斷,因此可滿足大部分的原子物理實驗需求。


專利商品特色




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