專利授權


以微波電漿束成長鑽石薄膜之裝置 


專利名稱 微波電漿束成長含碳薄膜之裝置、方法及製成品
專利國家
   專利證書號
中華民國 I341335
專利權人 國立台北科技大學
發明人 林啟瑞、蘇春熺、張靖郁、洪新欽
應用領域
需求項目









技術摘要


本發明係關於一種成長含碳薄膜之裝置、方法和製成品,發明中利用微波電漿束輔助化學氣相沈積系統,並配合錐型天線之傳導,製造甲烷與氫氣氣氛環境,於電漿束中解離出適能且適量的氫離子、碳離子及碳離子團以合成含碳薄膜。其中,碳離子源於薄膜層及晶粒表面進行沈積,受微波電漿束具有較高化學活化基特性的影響,使合成過程中有效抑制一晶格面的成長,相對提升另一晶格面的成長,其可成功合成出高方向性組織結構之含碳薄膜。發明中微波電漿束改善電漿密度不均之問題,其提高晶粒成長密度、細化晶粒及提高基材強韌性、耐磨耗等性質。


專利商品特色




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