新型鈮酸鋰濕式蝕刻技術 提升光積體電路元件效能
		專利名稱 藉由電場輔助質子交換之鈮酸鋰濕式蝕刻法 專利證書號 I241650 專利權人 台北科技大學 專利國家 台灣 , 發明人 王子建、黃志峰、王維新 應用領域 光電 需求項目
	專利商品特色： 本專利提出電場輔助質子交換之新型鈮酸鋰濕式蝕刻技術，經由設計材料內的電場分布與強度，可控制蝕刻區域的側壁輪廓，達到各種角度的傾斜，甚至獲得垂直的蝕刻側壁。所提出的蝕刻技術兼具乾式蝕刻和濕式蝕刻的優點，如：蝕刻表面平整、蝕刻深度大、可控制的蝕刻側壁輪廓、製作成本低廉等，未來具有量產的潛力。應用於積體光學元件的製作上，將可縮小元件體積、提昇元件效率，在進行元件積體整合下，將可進一步提昇光積體電路單一晶片的效能，對未來的普及應用，具有很大的助益。 專利商品技術說明： 本發明為一種新穎應用外加電場控制濕式蝕刻區域輪廓的技術，利用電場輔助質子交換，結合氫氟酸與硝酸混合液蝕刻鈮酸鋰區域反轉區域的特性，來達成控制蝕刻鈮酸鋰區域輪廓的目的。藉著適當設計的電極結構和外加的電壓，可以改變質子擴散的方向和速率，進而控制蝕刻側壁的傾斜角，甚至使其和基板垂直。新型濕式蝕刻法具有以下優點：(1)蝕刻表面平整；(2)蝕刻深度大；(3)可控制的蝕刻側壁輪廓；(4)製作成本低廉，具有未來量產的潛力。應用此項技術 將可在鈮酸鋰上製作如可調式光衰減器、大角度彎曲波導和大分岔角的功率分離器等各式多樣化的元件。 聯繫方式 聯絡人： 北區區產中心 與我連絡 電 話： 02-2771-2171#6003 手機： 地 址： 106台北市忠孝東路三段1號