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具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片
 
專利名稱 具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片
專利證書號 M416849
專利權人 國立台北科技大學
專利國家 台灣 ,
發明人 莊賀喬 翁崇文
應用領域 機械
需求項目 專利授權
 
專利商品特色:
本創作係有關於具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片,其裝置之特徵在於晶片製程中使用了電鍍的散熱銅塊,裝置於晶片下層的金屬結構中,用以將上層金屬導線通電流後所產生的熱迅速地向基板傳遞以提高散熱效率,如此便可提高上層金屬導線所能承載的電流值。此外,在晶片的雙層金屬導線中間是採用光阻作為兩層導線間的絕緣材料,光阻不但是電的良好絕緣體,烘烤後在真空中也不會有氣體外洩的現象且能夠被研磨與拋光,如此便可精確地控制此一絕緣材料的厚度。一般來說,部分的原子捕集晶片表面還需要能夠反射雷射光,因此在本創作的原子捕集晶片中,可在被拋光後的光阻表面上鍍上一層銅,即可達到晶片表面高反射率的要求。本創作所設計的原子捕集晶片之雙層金屬導線皆可承受至少5安培的連續電流通過而不會繞斷,因此可滿足大部分的原子物理實驗需求。


專利商品技術說明:
1.一種具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片,其裝置是包含下層的銅導線與散熱銅塊,然後被絕緣層光阻所包覆起來,再與上層的銅導線和具反射光線功能的銅薄膜,構成一具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片,其特徵在於具有雙層的金屬導線結構及散熱銅塊。 2.如申請專利範圍第1項所述之具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片,其中具傳遞熱功能的散熱銅塊元件,設置於矽晶圓基板的上端並與隔著一層光阻的上層銅導線結構相連接,其特徵在於當輸入電流於上層銅導線之後,由上層銅導線所產生的熱,能夠被其下方的散熱銅塊元件迅速地傳遞到最下面的矽晶圓基板,以提高上層銅導線的散熱效率,增加其所能承載的電流值。 3.如申請專利範圍第1項所述之具雙層金屬導線與散熱裝置之原子捕集晶片,其中兩層銅導線中間的絕緣材料光阻,設置於散熱銅塊元件的上方並在其上端裝置有上層銅導線結構與銅薄膜,其特徵在於光阻可做為兩層銅導線間的絕緣材料,且在烘烤後於真空中也不會有氣體外洩的現象,同時其表面能夠被研磨與拋光,因此可在被拋光後的光阻表面上鍍上一層銅薄膜,即可滿足原子捕集晶片表面高反射率的要求。

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聯絡人:專利技轉組 電 話:(02)8772-0360
與我連絡 地 址:10608 台北市忠孝東路三段1號 行政大樓5樓
 
 
   




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