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具真空饋通導線之雙層原子捕集晶片
 
專利名稱 具真空饋通導線之雙層原子捕集晶片
專利證書號 M413962
專利權人 國立台北科技大學
專利國家 台灣 ,
發明人 莊賀喬 李相甫
應用領域 機械
需求項目 專利授權
 
專利商品特色:
本創作係有關於具真空饋通導線與雙層金屬導線結構之原子捕集晶片及其製作技術,其裝置之特徵在於晶片製程中使用了真空垂直饋通導線,裝置於原子捕集晶片的基板結構中,用以將晶片背面接線板上所通的電流透過基板中的真空饋通導線傳遞至晶片正面的金屬導線上,如此便可將晶片的正面與Pyrex玻璃真空腔體直接做陽極接合,並且可提高晶片正面的使用面積。此外,在晶片中的真空饋通導線是採用微小的電鍍銅柱做為晶片兩面導線間的導體材料,此微小電鍍銅柱不但是電的良好導體,烘烤後在真空中也不會有outgas的現象,如此便可將外界一大氣壓下的電流透過數個微小電鍍銅柱傳遞至真空腔體內的金屬導線上,而在晶片的正面則具有雙層金屬導線,以增加晶片在磁場設計時的彈性。本創作所設計的原子捕集晶片之真空垂直饋通導線與雙層金屬導線皆可承受至少5安培的連續電流通過而不會燒斷,因此可滿足大部分的原子物理實驗需求。


專利商品技術說明:
1.一種具真空饋通導線之雙層原子捕集晶片,其裝置是包含真空垂直饋通導線與晶片正面上的下層銅導線結構及絕緣層SU-8光阻,再與上層銅導線和具反射光線功能的銅薄膜,構成一具有真空饋通導線與雙層金屬導線結構的原子捕集晶片,其特徵在於晶片上的真空饋通導線能夠取代傳統真空腔體上的真空傳輸導線,因此可縮小真空腔體的體積。 2.如申請專利範圍第1項所述之具真空饋通導線之雙層原子捕集晶片,其中具傳遞電流功能的真空饋通導線元件,設置於矽晶圓基板的結構中並與晶片的上下層銅導線結構相連接,其特徵在於真空饋通導線能夠將電流從真空腔體外傳遞至真空腔體內原子捕集晶片的上下層金屬導線上而不會破壞真空度,因此增加了原子捕集晶片的功能性。 3.如申請專利範圍第1項所述之具真空饋通導線之雙層原子捕集晶片,係具有雙層金屬導線結構,使得原子捕集晶片具有能夠同時產生多個磁阱的功能。

聯繫方式
聯絡人:專利技轉組 電 話:(02)8772-0360
與我連絡 地 址:10608 台北市忠孝東路三段1號 行政大樓5樓
 
 
   




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