可授權專利


複合式寬汲極電晶體及其製造方法
 Hybrid Wide Drain Transistor And Method Of Manufacturing Thereof


專利名稱 / Patent Title 複合式寬汲極電晶體及其製造方法
Hybrid Wide Drain Transistor And Method Of Manufacturing Thereof
專利國家 / Country
   專利證書號 / Registration Number
中華民國 / TW I675482
專利權人 / Applicant 國立臺北科技大學 / National Taipei University of Technology
發明人 / Inventor 胡心卉

專利詳細說明
Patent Details

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技術摘要 / Abstract


複合式寬汲極電晶體包括基板、主動層及三維閘極區。主動層設置於基板上方,主動層包括源極區、源極延展區、通道區、汲極延展區及汲極區。通道區包括奈米線區、第一平面區及第二平面區。通道區連接奈米線區,奈米線區連接第一平面區,第一平面區連接第二平面區,而第二平面區連接汲極區。源極區、源極延展區、第二平面區及汲極區具有第一摻雜濃度。奈米線區及第一平面區具有第二摻雜濃度。汲極延展區沿著第一方向延伸,三維閘極區沿著第二方向延伸,第二方向垂直於第一方向。部分的三維閘極區設置於通道區的上方及二側以包覆通道區。


聯繫方式 / Contact


聯絡人:專利暨技術移轉中心
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