可授權專利


超高純度碳化矽的製備方法
 METHOD FOR PREPARING ULTRAHIGH-PURITY SILICON CARBIDE


專利名稱 / Patent Title 超高純度碳化矽的製備方法
METHOD FOR PREPARING ULTRAHIGH-PURITY SILICON CARBIDE
專利國家 / Country
   專利證書號 / Registration Number
中華民國 / TW I841280
專利權人 / Applicant 國立臺北科技大學 / National Taipei University of Technology
發明人 / Inventor 張裕煦

專利詳細說明
Patent Details

我有興趣
Interested


技術摘要 / Abstract


一種碳化矽的製備方法,包含以下步驟:(a) 將鹵代矽烷加入一含水的質子溶劑中,以反應得到一含矽前驅物;(b) 去除該含矽前驅物中的部分溶劑,以得到二氧化矽凝膠;(c) 以一水可互溶有機溶劑溶解一含碳高分子,以得到一高分子溶液;及(d) 混合該二氧化矽凝膠及該高分子溶液並加熱,以反應得到該碳化矽。本發明碳化矽的製備方法可製得超高純度的碳化矽。


聯繫方式 / Contact


聯絡人:專利暨技術移轉中心
Liaison : PTTC
電 話:(02)8772-0360
TEL
地 址:10608 台北市忠孝東路三段1號 行政大樓5樓
Address : 5F, Administration Building, 1, Sec. 3, Zhongxiao E. Rd., Taipei 10608 Taiwan.
與我連絡
Contact Us