應用於同軸結構至微帶線之間的垂直轉接方法 
專利名稱 |
應用於同軸結構至微帶線之間的垂直轉接方法 |
專利國家 專利證書號 |
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專利權人 |
國立台北科技大學 |
發明人 |
李士修, |
應用領域 |
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需求項目 |
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技術摘要
一種應用於同軸結構至微帶線之間的垂直轉接方法,是將微帶線之信號線待垂直轉接的一端下方的接地層開設一鏤空部而形成一槽孔。在槽孔中形成多個貫穿基板的穿孔,這些穿孔包括一轉接孔及至少一第二穿孔。轉接孔連接微帶線之信號線的一端,並與鏤空部組成第一偏心配置。第二穿孔與鏤空部組成第二偏心配置。將同軸結構的中心導體穿過轉接孔並接觸信號線,而形成一垂直轉接結構。此方法利用第一偏心配置來達到二傳輸線間的場型轉換,以降低其垂直轉接的插入損耗及增加1-dB通帶頻寬,再利用第二穿孔來將槽孔所引起的共振響應移位,可以進一步增加1-dB通帶頻寬。
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