可授權專利


具真空饋通導線之雙層原子捕集晶片及其製程技術 


專利名稱 具真空饋通導線之雙層原子補集晶片
專利國家
   專利證書號
中華民國 M413962
專利權人 國立台北科技大學
發明人 莊賀喬、李相甫
應用領域
需求項目









技術摘要


本創作係有關於具真空饋通導線與雙層金屬導線結構之原子捕集晶片及其製作技術,其裝置之特徵在於晶片製程中使用了真空垂直饋通導線,裝置於原子捕集晶片的基板結構中,用以將晶片背面接線板上所通的電流透過基板中的真空饋通導線傳遞至晶片正面的金屬導線上,如此便可將晶片的正面與Pyrex玻璃真空腔體直接做陽極接合,並且可提高晶片正面的使用面積。此外,在晶片中的真空饋通導線是採用微小的電鍍銅柱做為晶片兩面導線間的導體材料,此微小電鍍銅柱不但是電的良好導體,烘烤後在真空中也不會有outgas的現象,如此便可將外界一大氣壓下的電流透過數個微小電鍍銅柱傳遞至真空腔體內的金屬導線上,而在晶片的正面則具有雙層金屬導線,以增加晶片在磁場設計時的彈性。本創作所設計的原子捕集晶片之真空垂直饋通導線與雙層金屬導線皆可承受至少5安培的連續電流通過而不會燒斷,因此可滿足大部分的原子物理實驗需求。


專利商品特色




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