可授權專利


低溫製備高比表面積、高結晶度及純銳鈦礦晶型二氧化鈦電極的方法 


專利名稱 高比表面積、高結晶度與純銳鈦礦晶型之二氧化鈦的低溫製作方法
專利國家
   專利證書號
中華民國 I351385
專利權人 國立台北科技大學
發明人 趙豫州、李世鈞、賴俊吉
應用領域
需求項目









技術摘要


本發明提供一種高比表面積、高結晶度與純銳鈦礦晶型之二氧化鈦的低溫製作方法,包含以下步驟:(a)對一混合有一含鈦化合物與一酸性水溶液且酸鹼值至少小於3.0之澄清溶液施予介於60℃~110℃和6~11小時的第一段加熱,以於該澄清溶液內形成複數二氧化鈦晶種;(b)對該澄清溶液施予介於180℃~240℃和1~10小時的第二段加熱以使該等二氧化鈦晶種於該澄清溶液中晶粒成長並形成一含有銳鈦礦晶型之二氧化鈦晶粒的分散溶液;(c)冷卻該分散溶液;(d)過濾並清洗該分散溶液以呈中性;及(e)乾燥該分散溶液以形成純銳鈦礦晶型之二氧化鈦。


專利商品特色




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