可授權專利


(壓控震盪器電路) 


專利名稱 壓控振盪裝置
專利國家
   專利證書號
中華民國 I440299
專利權人 國立台北科技大學
發明人 王多柏、江政育、黎忠錦
應用領域 電機
需求項目









技術摘要


一種壓控振盪裝置,包括一電感電容共振電路、一交錯耦合對及兩組回授變容器;電感電容共振電路的電感模組及電容模組隨著一第一控制電壓變化而改變輸出的一振盪訊號的頻率;交錯耦合對產生之負阻抗的絕對值大於電感電容共振電路的等效電阻值,使電感電容共振電路產生振盪訊號;兩組回授變容器的二連接端分別跨接於交錯耦合對的NMOS電晶體的汲極端及源極端,各回授變容器具有共用一第二控制電壓供作同步調整的一第二控制端,藉由設置兩組回授變容器以增加振盪訊號的頻率調整範圍。


專利商品特色


1.一種壓控振盪裝置,包括:一電感電容共振電路,具有一接收一第一控制電壓的第一控制端及兩輸出端,並具有電性連接該第一控制端及兩輸出端的一電感模組及一電容模組,且該電感模組及該電容模組隨著該第一控制電壓變化而改變輸出的一振盪訊號的頻率;一交錯耦合對,包括分別電性連接兩輸出端的兩個NMOS電晶體,且彼此的閘極與另一方的汲極交叉連接,該交錯耦合對產生之負阻抗的絕對值大於該電感電容共振電路的等效電阻值,使該交錯耦合對產生該振盪訊號;及兩組回授變容器,分別具有二連接端,且兩組回授變容器的二連接端分別跨接於各該NMOS電晶體的汲極端及源極端,兩組回授變容器各具有共用一第二控制電壓供作同步調整的一第二控制端。
2.依據申請專利範圍第1項所述之壓控振盪裝置,還包括兩組分別連接在各該NMOS電晶體的源極端的電感器。
3.依據申請專利範圍第1或2項所述之壓控振盪裝置,還包括兩組分別連接在各該NMOS電晶體的汲極端及各該輸出端之間的緩衝放大器,各該緩衝放大器的閘極端經由該電感模組連接該壓控振盪裝置正偏壓源。
4.依據申請專利範圍第3項所述之壓控振盪裝置,其中,各該緩衝放大器配合一緩衝放大器正偏壓源,並包括一共源級電晶體、一輸出電感、一基極電阻及一輸出電容,該共源級電晶體之源極端連接地,該共源級電晶體之閘極端係接收該電感電容共振電路輸出之振盪信號,該共源級電晶體之基極端經由該基極電阻連接到基極偏壓,該共源級電晶體之汲極端則經由該輸出電感連接該緩衝放大器正偏壓源。


聯繫方式


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